ВИМІРЮВАЛЬНИЙ СТЕНД ДЛЯ ДОСЛІДЖЕННЯ ВПЛИВУ НЕОДНОРІДНОЇ ДЕФОРМАЦІЇ НА КОМПОНЕНТИ БІПОЛЯРНИХ ІМС

Бічна панель сторінки статті

PDF
Опубліковано: Feb 28, 2019
DOI: https://doi.org/10.20535/2617-0965.2019.2.1.162156
Ключові слова:
деформація, тиск, вольт-амперна характеристика, опір, деламінація

Основний зміст сторінки статті

Maksym Olehovych Zylevich
Національний Технічний Університет України "Київський Політехнічний Інститут імені Ігоря Сікорського"

Анотація

У роботі спроектовано стенд для дослідження впливу неоднорідної деформації на компоненти біполярних ІМС. Даний стенд призначений для вимірювання опору кремнієвих резисторів, вольт-амперних характеристик діодів та транзисторів під дією відомої неоднорідної деформації з відображенням отриманої інформації на екран персонального комп’ютера для подальшої обробки. Стенд дозволяє регулювати тиск у широкому діапазоні та є універсальним для вимірювання електричних характеристик різних компонентів мікросхем.

Бібл. 10, рис. 3, табл. 1

Блок інформації про статтю

Як цитувати
Zylevich, M. O. (2019). ВИМІРЮВАЛЬНИЙ СТЕНД ДЛЯ ДОСЛІДЖЕННЯ ВПЛИВУ НЕОДНОРІДНОЇ ДЕФОРМАЦІЇ НА КОМПОНЕНТИ БІПОЛЯРНИХ ІМС. Електронна та Акустична Інженерія, 2(1), 21–25. https://doi.org/10.20535/2617-0965.2019.2.1.162156
Номер
Том 2 № 1 (2019)
Розділ
Електронні системи та сигнали
Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.

Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:

  1. Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
  2. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
  3. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).

Посилання

Hnatek E. R. "Integrated Circuit Quality and Reliability," New York, Marcel Deker., 1995. URL: http://catcut.net/qX7A

Levin M., Kala T. 1"Improving product reliability," California, Wiley., 2003. ISBN: 978-0-470-86449-4

Vorobyov D. V. "Harakteristiki ta dzherela mehanIchnih vplivIv na radIoelektronnI zasobi," Molodiy vcheniy. no. 19. pp. 182-185, 2014. URL: https://moluch.ru/archive/78/13692/

Lee Y. C."Micro- and Opto- Electronic Materials and Structures," California, Springer., 2007. URL: https://www.springer.com/us/book/9780387279749

Kochemirovskiy V. A. "Defekti kristalIchnoYi strukturi napIvprovIdnikovih materIalIv," VidavnichIy dIm SPGU., 2013. URL: goo.gl/P7pCgF

Polyakova A. L. "DeformatsIya napIvprovIdnikIv I napIvprovIdnikovih pristroyiv," Moskva, EnergIya., 1979. URL: https://www.twirpx.com/file/560929/

Brotherton S. D. "Introduction to Thin Film Transistors: Physics and Technology of TFTs," Switzerland, Springer., 2013. URL: http://haa.su/FZv/

Rudolf F. G. "Modern Dictionary of Electronics," Melborne, Newnes., 1999. URL: goo.gl/cYTqAp

Metod Kelvina [Online], Avalible:http://shemabook.ru/kelvina-4-provodnoy-izmereniya-soprotivleniya. [Accessed: 09-Feb-2019].

Widmann D. "Technology of Integrated Circuits," Berlin, Springer., 2000. URL: goo.gl/vXaxhs