Дослідження п’єзофототронного ефекту в плівкових структурах А<sub>2</sub>В<sub>6</sub>

Основний зміст сторінки статті

Kiril Ievhenovych Balashov
Vladyslav A. Klimenko
Liudmyla Mykolaivna shmyrova
Serhii Vasylovych Mamykin
Teyiana Viktorivna Semikina

Анотація

В роботі представлено результати дослідження п’єзо фототронного ефекту в гетеро структурах на основі плівок групи А2В6. Об’єктом дослідження є діодні структури на основі CdS, котрі вирощені методом термічного випаровування на гнучкій молібденовій підкладинці. Зверху на плівки CdS був нанесений тонкий шар виродженого напівпровідника CuxS, що дозволило сформувати діодну бар’єрну структуру. Для дослідження фотодіодних властивостей було зроблено виміри вольт-амперних характеристик (ВАХ) в темновому та світловому режимах. З отриманих ВАХ було отримано, що між напівпровідниковими плівками сформовано випрямляючий бар’єр і структура має діодну характеристику. Величина зворотнього струму збільшується при освітленні. Для дослідження п’єзофототронного ефекту до діодних структур було прикладено тиск. Зміна тиску, який прикладався до зразка виконувалась за допомогою важелів з масою 10, 20, 50, 100 та 200 грам. Струм по прямій та зворотній гілці ВАХ показав збільшення як в темновому режимі вимірів, так і при освітленні, що говорить про наявність п’єзофототронного ефекту в даному гетеропереході. Розраховані значення чутливості до тиску показали, що струм по зворотній та прямій гілці ВАХ змінюється в різних інтервалах. Найбільша чутливість в діапазоні 0–77,31 спостерігається для зворотного струму без освітлення. При додатковому освітленні чутливість до тиску по зворотній гілці ВАХ зменшується та складає 0–7,73. Усі зроблені виміри показали наявність п’єзофототронного ефекту, що дозволяє створювати на основі цього гетеропереходу нові функціональні прилади для виміру тиску та величини освітленості.

Блок інформації про статтю

Як цитувати
Balashov, K. I., Klimenko, V. A., shmyrova, L. M., Mamykin, S. V., & Semikina, T. V. (2020). Дослідження п’єзофототронного ефекту в плівкових структурах А&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt;В&lt;sub&gt;6&lt;/sub&gt;. Електронна та Акустична Інженерія, 3(3), 21–25. https://doi.org/10.20535/2617-0965.2020.3.3.200203
Розділ
Мікросистеми та фізична електроніка

Посилання

Sagatelyan G.R. «Technologiya izgotovleniya piezoelectricheskih preobrazovateley dlya aparatov ultrazvukovoi terapii, diagnostiki i hirurgii [Piezoelectric transducer manufacturing technology for ultrasound therapy, diagnostics and surgery devices]» : Uchebnoe posobie po kursu “Technologiya priborostroeniya”. Izdatelstvo MGTU, 1993, ISВN: 5-7038-0949-5

Yanych V. V. «Piezoelectricheskie vibroizmiritelnye preobrazovately (akselerometry): monographya [Piezoelectric vibration transducers (accelerometers): monography]», Rostov – Na – Donu, Izdatelstvo IUFU, 2010, ISВN: 978-5-9275-0728-З

Antonio Arnau. «Piezoelectric-Transducers-and-Applications, Second Edition», Berlin Heidelberg, 2008, DOI:10.1007/978-3-540-77508-9

Zhong Lin Wang. «Progress in Piezotronics and Piezo-Phototronics», Advanced Materials, vol.24, pp.4632-4646, 2012, DOI: 10.1002/adma.201104365

Mechanosensation. URL: http://en.wikipedia.org/wiki/Mechanosensation

Xingfu Wang, Wenbo Peng, Caofeng Pan, Zhong Lin Wang. «Piezotronics and piezo-phototronics based on a-axis nano/microwires: fundamentals and applications», Semicond. Sci. Technol., vol.32, pp.043005-043021, 2017, DOI: 10.1088/1361-6641/aa5fcd

Wang Z L. «Progress in piezotronics and piezo- phototronics», Adv. Mater., vol.24, pp.4632–4678, 2012 DOI: 10.1002/adma.201104365

Wang Z L. «Piezopotential gated nanowire devices: piezotronics and piezo-phototronics», Nano Today, vol.5, pp.540–592, 2010, DOI: 10.1016/j.nantod.2010.10.008

Wang Z L. «From nanogenerators to piezotronics—a decade-long study of ZnO nanostructures», MRS Bull., vol.37, pp.814–841, 2012, DOI: 10.1557/mrs.2012.186

Yamabi S and Imai H «Growth conditions for wurtzite zinc oxide films in aqueous solutions», J. Mater. Chem., vol.12, pp.3773–3781, 2002, DOI: 10.1039/B205384E