Ємнісний датчик присутності

Андрій Вікторович Мельник; Олег Миколайович Бевза

doi:10.20535/2617-0965.2020.3.1.199005

Т. 3 · № 1 · 2020 бер 31, 2020 Мікросистеми та фізична електроніка

Ємнісний датчик присутності

АМ

Андрій Вікторович Мельник Відповідальний Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського» Україна

ОБ

Олег Миколайович Бевза Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського» Україна

Сторінки10 - 14 Опублікованобер 31, 2020 ЛіцензіяВідкритий доступ

PDF

ТОМ 3 · № 1 · 2020 Переглянути випуск

Анотація

Метою даної роботи є дослідження можливості використання ємнісного датчика як пристрою, що фіксує присутність людини у приміщенні при проектуванні систем енергозбереження; визначити його основні параметри та способи застосування. У роботі досліджено ємнісний датчик, робота якого основана на чутливості до зміни діелектричної проникності середовища, у якому знаходиться чутливий елемент.

Дана стаття описує особливості роботи, основні параметри, проблеми та способи застосування такого датчика на основі проведеного експерименту.

Ключові слова

#ємність #ємнісний зв’язок #діелектрична проникність #система енергозбереження #датчик #генератор електричних коливань #детектор присутності

Посилання

G. Raaja, “Basics and implementation of capacitive proximity sensing,” EE Times, 2008.
R. Komarov, “Iomkostnye datchiki priblizhenia [Capaсitive oncoming sensors],” Elektron. componenty, vol. 12, 2011.
R. Seguine, “Capacitive sensing techniques and considerations,” Mobile Handset DesignLine, Cypress Semiconductor, San Jose (CA), pp. 1–7, Nov-2007.
I. Foreyt, Iomkostnye datchiki neelektrycheskih velichin [Non-electrical capatitanse sensors], Energia. Moscow, Leningrad, 1966.
“Analiz okhrannykh sistem na osnove taktilnykh datchikov iomkosti [Analysis of security systems based on tactile capacitance sensors].”, URL: https://studfile.net/preview/8100820.
J. Frayden, Sovremennye datchiki. Spravochnik [Modern sensors. Handbook], Technosfer. Moscow, 2005, ISBN: 5-94836-050-4.
I. S. R. D. B. Kandic, B. D. Reljin, “On Modelling of Two-Wire Transmission Lines,” 2012, DOI: 10.1155/2012/351894.
M. A. Shustov, Prakticheskaia skhemotekhnika. 450 poleznykh skhem radioliubiteliam. [Practical circuitry. 450 useful schemes for radio amateurs], Alteks-A. Moscow, 2003.

Ліцензія

CCBY-NC 4.0

Creative Commons Із зазначенням авторства 4.0 Міжнародна

Ця робота має відкриту ліцензію: вільно поширюйте та адаптуйте її, посилаючись на авторів і журнал. Умови ліцензії ↗

Попередня у випуску Експериментальне дослідження біоелектричної активності мозку студентів під час прослуховування музичної композиції Наступна у випуску Методи компенсації температурної залежності вихідної напруги в джерелах опорної напруги інтегральних мікросхем

§ 06 — Пов'язані

Схожі статті в цьому журналі

Пов'язані рецензовані дослідження, опубліковані в цьому журналі.

Усі випуски

Осадження тонких плівок оксиду молібдену для гнучкої біорозкладної електроніки

Анна Сергіївна Гондовська, Роман Ігорович Дідусь, Владислав Анатолійович Лапшуда, Ольга Василівна Ященко

У статті розглянуто використання біополімерного матеріалу (наноцелюлози) як гнучкої підкладки для осадження функціональних шарів електронних приладів. Плівки оксиду…

#оксид молібдену #наноцелюлоза #гнучка електроніка

с. 227276-1 - 227276-6

10.20535/2617-0965.eae.227276

Віртуальна лабораторія екологічного моніторингу довкілля

Софія Олегівна Павлова

Проаналізовано чинники негативного впливу на навколишнє середовище, а саме на стан повітря, розроблено модель інтелектуальної системи моніторингу стану навколишнього…

#екомонітринг #система #ефективність #роботизована система

с. 10-13

10.20535/2617-0965.2020.3.4.198592

Вимірювання п’єзоелектричних характеристик діодних структур на векторному аналізаторі «Обзор-103»

Олексій Сергійович Цибульський, Владислав А. Клименко, Тетяна Вікторівна Семикіна

В роботі наведено результати дослідження напівпровідникових плівкових гетеро структур CdS-Cu2S та CdS-ZnS-Cu2S методом резонансу-антирезонансу. Виміри…

#амплітудно-частотні характеристики #напівпровідникові плівки #гетероструктури #п’єзоелектричні властивості.

с. 5-9

10.20535/2617-0965.2020.3.4.200045